硅單向開(kāi)關(guān)SUS(Silicon Unidirectional Switch)亦稱單向觸發(fā)晶體管，上繼雙向觸發(fā)二極管（DIAC）之后發(fā)展起來(lái)的新型觸發(fā)器件。三個(gè)引出端分別是陽(yáng)極A，陰極K，門(mén)極G，比DIAC增加了門(mén)極。硅單向開(kāi)關(guān)實(shí)質(zhì)上是由穩(wěn)壓管控制的N門(mén)極晶閘管構(gòu)成集成電路。其結(jié)構(gòu)、等效電路、符號(hào)及典型產(chǎn)品的外形如圖1所示。典型產(chǎn)品有US08A等，外形同塑封晶體管。伏安特性示于圖2中。

硅單向開(kāi)關(guān)具有以下特點(diǎn)：

第一：穩(wěn)壓二極管并聯(lián)在門(mén)極與陰極之間，穩(wěn)壓值為6～10V。導(dǎo)通過(guò)程首先將穩(wěn)壓管反向擊穿，然后晶閘管才導(dǎo)通，A-K間正向壓降迅速降到V（ON）。

第二：正反向轉(zhuǎn)折電壓不對(duì)稱，有關(guān)系式V（BR）＞V（BO）》V（ON）。導(dǎo)通壓降只有零點(diǎn)幾伏，通態(tài)電阻僅2Ω左右。

第三：開(kāi)關(guān)特性好，導(dǎo)通時(shí)間僅0.2μs左右。利用集成電阻R可以提高開(kāi)關(guān)速度。

硅單向開(kāi)關(guān)主要用于晶閘管移相電路。此外，它能代替單結(jié)晶體管構(gòu)成振蕩器，還可組成溫度越限報(bào)警器、直流電機(jī)調(diào)速器管。

下面介紹用萬(wàn)用表和兆歐表檢查硅單向開(kāi)關(guān)的方法。

1．判定門(mén)極G

由圖1(a)可見(jiàn)，在A-G、K-G之間分別有一個(gè)PN結(jié)，根據(jù)對(duì)稱性很容易識(shí)別門(mén)極。具體方法上選擇萬(wàn)用表的R×100檔，拿紅表接某一腳，用黑表筆依次碰觸其它兩腳，如困兩次測(cè)出的電阻值都是幾百歐姆，并在交換表筆之后電阻值均變成無(wú)窮大，就說(shuō)明紅表筆接的是門(mén)極G。

2．識(shí)別陽(yáng)極A和陰極K

首先假定剩下一個(gè)腳為A極，另一腳是K極，然后按圖3(a)的電路測(cè)出正向?qū)妷篤（ON），再按照（b）圖電路測(cè)出反向轉(zhuǎn)折電壓V（BR）。最后比較兩次測(cè)量結(jié)果。若V（ON）《V（BR），證明假定成立，否則必須重新假定，繼續(xù)測(cè)量。

實(shí)例：被測(cè)硅單向開(kāi)關(guān)為US08A。為敘述方便，從左至右為三個(gè)管腳編上序號(hào)①、②、③。將500型萬(wàn)用表?yè)苡赗×100檔，紅表筆接②，黑表筆接①時(shí)測(cè)得電阻值為820Ω，此時(shí)表針倒數(shù)偏轉(zhuǎn)格數(shù)n1′=22.5格，對(duì)應(yīng)于U1= K′n1′=0.03V/格×22.5格=0.675V。紅表筆不動(dòng)，再反黑表筆接③，阻值為840Ω，同時(shí)讀出n2′=22.8格，對(duì)應(yīng)于U2= K′n2′=0.684V。由于兩次電阻值都很小，且U1、U2分別與兩個(gè)硅PN結(jié)的正向壓降值相符合，故判定②為G極。

下面假定①為K極，③為A極，按照?qǐng)D3分別測(cè)出V（ON）=0.8V， V（BR）=8.6V，滿足V（ON）《V（BR）之條件，證明原先的假定正確。

為進(jìn)一步驗(yàn)證A、K極，另用兆歐表和萬(wàn)用表10VDC檔測(cè)得G-K間PN結(jié)的反向擊穿電壓為8.3V；而G-A間PN結(jié)的反向擊穿電壓為16.5V，大于10V。證明穩(wěn)壓管位于G-K之間，即①為陰極，③自然是陽(yáng)極了。

注意事項(xiàng)：剛搖兆歐表測(cè)A-K間正向電壓時(shí)，電壓表指針會(huì)從10V左右（對(duì)應(yīng)于V（BO））突然降成1V以下（對(duì)應(yīng)于V（ON）），然后才達(dá)到穩(wěn)定。在商量A-K間反向轉(zhuǎn)折電壓時(shí)，指針則始終穩(wěn)定。